Diode/Bridge Rectifier
部品番号
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
メーカー
Diode Configuration: Standalone Power: 350mW DC Reverse Withstand Voltage (Vr): 100V Average Rectified Current (Io): 200mA Forward Voltage Drop (Vf): 1V@10mA Reverse Current (Ir): 5uA@75V Reverse Recovery Time (trr): 4ns Operating temperature: +150℃@(Tj)
説明
96435 PCS
在庫あり
部品番号
FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
メーカー
DC reverse withstand voltage (Vr) Silicon carbide60 Average rectified current (Io) 30 Reverse current (Ir) 0.1
説明
67834 PCS
在庫あり
部品番号
FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
メーカー
DC reverse withstand voltage (Vr) Silicon carbide60 Average rectified current (Io) 30 Reverse current (Ir) 0.1
説明
69855 PCS
在庫あり
