Triode/MOS tube/transistor/module
Ruichips (Ruijun Semiconductor)
メーカー
P-channel, -40V, -8.7A, 0.014Ω@-10V
説明
MOSFET Type N Drain-Source Voltage (Vdss) (V) 100 Threshold Voltage VGS ±20 Vth(V) 1-2.2 On-Resistance RDS(ON) (mΩ) 105/130 Continuous Drain Current ID (A) 7
説明
P-channel, -100V, -0.7A, 1.2Ω@-10V
説明
DIODES (US and Taiwan)
メーカー
Configuration N+P Type P-Ch VDS(V) -40 VGS(V) 20 ID(A)Max. -20 VGS(th)(v) -1.7 RDS(ON)(m?)@4.449V 48 Qg( nC)@4.5V 11.5 QgS(nC) 3.5 Qgd(nC) 3.3 Ciss(pF) 1415 Coss(pF) 134 Crss(pF) 102
説明
CBI (Creation Foundation)
メーカー
Ruichips (Ruijun Semiconductor)
メーカー
N-channel, 60V, 70A, 6mΩ@10V
説明
ST (STMicroelectronics)
メーカー
N-channel, 500V, 85m²@10V, 46A
説明