Triode/MOS tube/transistor/module
VDRM(V) 400 IT(RMS)(A) 0.8 IGT(uA) ≤200 VGT(V) 0.7-0.8 TJ(?C ) 125
説明
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
メーカー
ST (STMicroelectronics)
メーカー
Sungine (dual competition integration)
メーカー
50V, 8-channel high withstand voltage and high current Darlington array
説明
ST (STMicroelectronics)
メーカー
N-channel, 40V, 90A, 0.0033Ω@10V
説明
DIODES (US and Taiwan)
メーカー