Triode/MOS tube/transistor/module
This P-channel 1.8V specified MOSFET is manufactured in an advanced low voltage PowerTrench process. This product is optimized for battery management.
説明
DIODES (US and Taiwan)
メーカー
ST (STMicroelectronics)
メーカー
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
メーカー
IC(A) 0.5 VCEO(V) 25 hFE(β) 120-400 fT(MHZ) 150 VCBO(V) 40 VCE(sat)(W) 0.6 Type NPN
説明
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
メーカー
SPS (American source core)
メーカー
GOFORD (valley peak)
メーカー
Jingyang Electronics
メーカー
Type(N)/ESD(Y)/VDS20(V)/VGS10(±V)/VGS(th)1.2(V)/ID6.5(A)
説明