Triode/MOS tube/transistor/module
DIODES (US and Taiwan)
メーカー
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
メーカー
DIODES (US and Taiwan)
メーカー
NCE (Wuxi New Clean Energy)
メーカー
CBI (Creation Foundation)
メーカー
NPN Darlington tube VCEO=100V, -65℃~150℃
説明
LONTEN (Longteng Semiconductor)
メーカー
AGM-Semi (core control source)
メーカー
Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 12 ID(A)Max. 5.2 VGS(th)(v) 0.8 RDS(ON)(m?)@4.29V 35 Qg(nC)@4.5V 5.5 QgS(nC) 2.1 Qgd(nC) 1.5 Ciss(pF) 525 Coss(pF) 57 Crss(pF) 45
説明