Triode/MOS tube/transistor/module
NPN Vo=50V Io=0.8A PD=0.2W R1=4.7K R2=4.7K
説明
P-channel, -30V, -35A, 0.01Ω@-10V
説明
DIODES (US and Taiwan)
メーカー
Dual N-channel, 20V, 8A, 24mΩ@4.5V
説明
SPS (American source core)
メーカー
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
メーカー
NPN, Vceo=30V, Ic=800mA, hfe=100~200
説明
PNP, Vceo=150V, Ic=600mA
説明
N-channel, 20V, 6A, 0.03Ω@4.5V
説明
ST (STMicroelectronics)
メーカー
UMW (Friends Taiwan Semiconductor)
メーカー
DIODES (US and Taiwan)
メーカー
Transistor type: 1 NPN-pre-biased Power (Pd): 200mW Collector current (Ic): 100mA Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 50V NPN, Vcc=50V, Io=100mA, Pd=200mW
説明
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
メーカー
NPN, Vceo=30V, Ic=0.1A, hfe=200~450
説明