LGE (Lu Guang)
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13009
NPN 400V 12A
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
説明
Transistor Type: NPN Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 400V Collector Current (Ic): 12A Power (Pd): 100W Collector Cutoff Current (Icbo): 1mA Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 3V@12A, 3A DC current gain (hFE@Ic,Vce): 6@8A, 5V Characteristic frequency (fT): 4MHz Operating temperature: +150℃@(Tj) High voltage fast switching NPN power crystal
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