onsemi (Ansemi)
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1N5818RLG 30V 1A 550mV@1A 30V, 1.0A, Schottky diode

1N5818RLG

30V 1A 550mV@1A 30V, 1.0A, Schottky diode
部品番号
1N5818RLG
カテゴリー
diode > Schottky diode
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
DO-41
パッキング
taping
パッケージの数
5000
説明
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry features chromium barrier metal, oxide passivation, and epitaxy with metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
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