onsemi (Ansemi) 1N5819G 40V 1A 600mV@1A Schottky diode Barrier rectifier, 1.0 A, 40 V を購入

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onsemi (Ansemi)

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1N5819G

40V 1A 600mV@1A Schottky diode Barrier rectifier, 1.0 A, 40 V

部品番号

1N5819G

カテゴリー

diode > Schottky diode

メーカー/ブランド

onsemi (Ansemi)

カプセル化

DO-41

パッキング

bagged

パッケージの数

1000

説明

The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry employs chromium barrier metal, oxide passivation, and epitaxy with metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.

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