AGM-Semi (core control source)
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AGM085N10F N-channel 100V 80A 9.0mΩ

AGM085N10F

N-channel 100V 80A 9.0mΩ
部品番号
AGM085N10F
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
カプセル化
TO-220F
パッキング
Tube
パッケージの数
50
説明
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 80A Power (Pd): 78W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9.0mΩ @10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.0V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 36.5nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.978nF@50V ,Vds=100V Id= 80A Rds=9.0mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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