AGM-Semi (core control source)
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AGM308MN
AGM308MN
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
説明
Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 15A Power (Pd): 2.5W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 8.8mΩ@10V, 20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 12nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.980nF@0V, Vds=30v Id=15A Rds=8.8mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) SOP8encapsulation;
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