AGM-Semi (core control source) AGM30P12M P+P channel 30V 14A 10mΩ を購入

AGM-Semi (core control source)

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AGM30P12M

P+P channel 30V 14A 10mΩ

部品番号

AGM30P12M

カテゴリー

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

メーカー/ブランド

AGM-Semi (core control source)

カプセル化

SOP-8

パッキング

taping

パッケージの数

3000

説明

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: Dual P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 14A Power (Pd): 3.6W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10mΩ@10V, 8A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.65nF@15V , Vds=30V Id= 14A Rds=10mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) ;

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