AGM-Semi (core control source)
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AGM30P20AP
AGM30P20AP
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
説明
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 30V Continuous Drain current (Id): 18A Power (Pd): 28W On-resistance (RDS(on)@Vgs, Id: 18mΩ@10V, 5A Threshold voltage (Vgs (th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 12nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.86nF@15V, Vds=30v Id=18A Rds=18mΩ, operating temperature: - 55℃~+150℃@(Tj)
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