AGM-Semi (core control source)
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AGM310M
N+P channel 30V 10A/-8A 12mΩ/17mΩ
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
説明
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: One N-channel and one P-channel Drain-source voltage (Vdss): 30V Continuous drain current (Id): 10A/-8A Power (Pd): 3.6W On-resistance (RDS(on )@Vgs,Id): 12mΩ@10V, 15A; 17mΩ@-10V,-20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V/-1.7V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 16nC@ 10V; 45nC@-10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.85nF@15V; 1.38nF@-15V , Vds=30V Id=10A/-8A Rds=12mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@( Tj)
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