AGM-Semi (core control source)
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AGM318MBP AGM318MBP

AGM318MBP

AGM318MBP
部品番号
AGM318MBP
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
カプセル化
PDFN3x3
パッキング
taping
パッケージの数
5000
説明
Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 8A Power (Pd): 3.8W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 16mΩ@10V, 6A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6A@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 8.6nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.333nF@10V, Vds=30v Id=8A Rds=17mΩ, work Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) PDFN3*3encapsulation;
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