AGM-Semi (core control source) AGM325ME N+N channel 30V 5.5A 28mΩ を購入

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AGM-Semi (core control source)

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AGM325ME

N+N channel 30V 5.5A 28mΩ

部品番号

AGM325ME

カテゴリー

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

メーカー/ブランド

AGM-Semi (core control source)

カプセル化

SOT-23-6

パッキング

taping

パッケージの数

3000

説明

Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 5.5A Power (Pd): 1.15W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 28mΩ@10V,3.4 A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 1.0V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 4.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.39nF@15V, Vds=30V Id=5.5A Rds =28mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

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