AGM-Semi (core control source)
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AGM406MBQ
AGM406MBQ
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
説明
Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 25A Power (Pd): 2W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 7.8mΩ@10V, 10A (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 13nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.870nF@20V, Vds=40v Id=25A Rds=7.8mΩ, work Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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