AGM-Semi (core control source) AGM408MN N+N channel 40V 11A 8.5mΩ を購入

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AGM-Semi (core control source)

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AGM408MN

N+N channel 40V 11A 8.5mΩ

部品番号

AGM408MN

カテゴリー

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

メーカー/ブランド

AGM-Semi (core control source)

カプセル化

SOP-8

パッキング

taping

パッケージの数

3000

説明

Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 11A Power (Pd): 2.5W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 8.5mΩ@10V, 15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 13nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.87nF@20V, Vds=40v Id=11A Rds=8.5mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

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