AGM-Semi (core control source)
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AGM40P26E
P-channel 40V 4.5A 36mΩ
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
説明
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 40V Continuous Drain current (Id): 4.5A Power (Pd): 1.6W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 36mΩ@10V, 6A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 1.6@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 16nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.1nF@20V, Vds=40v Id=4.5A Rds=36mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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