AGM-Semi (core control source)
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AGM40P26S
AGM40P26S
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
説明
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 40V Continuous Drain current (Id): 6.0A Power (Pd): 1.6W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 32mΩ@10V,5A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): -1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 16nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.10nF@20V , Vds=40v Id=6.0A Rds=32mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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