AGM-Semi (core control source)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
AGM40P55AP
P-channel 40V 50A 8.9mΩ
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
AGM-Semi (core control source)
説明
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 50A Power (Pd): 55W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.9mΩ@10V,16A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 28nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.05nF@20V Operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj ) DFN3*3encapsulation;
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、
送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、
[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 67723 PCS