FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
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B772-Y
B772-Y
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
メーカー/ブランド
FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
説明
Transistor Type: NPNP Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 30V Collector Current (Ic): 3A Power (Pd): 500mW Collector Cutoff Current (Icbo): 100nA Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 500mV@2A, 200mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 400@1A, 2V Characteristic frequency (fT): 50MHZ Operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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