HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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BAS21A
250V 200mA 50ns
カテゴリー
Diodes > Switching Diodes
メーカー/ブランド
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
説明
Diode configuration: 1 pair of common anode Power: 225mW DC reverse withstand voltage (Vr): 250V Average rectified current (Io): 200mA Forward voltage drop (Vf): 1.25V@200mA Reverse current (Ir): 100nA@200V Reverse recovery time (trr): 50ns Operating temperature: +150℃@(Tj)
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