onsemi (Ansemi)
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FDD3860 N-Channel 100V 6.2A N-Channel PowerTrench MOSFET, 100 V, 29 A, 36 mΩ

FDD3860

N-Channel 100V 6.2A N-Channel PowerTrench MOSFET, 100 V, 29 A, 36 mΩ
部品番号
FDD3860
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
TO-252
パッキング
taping
パッケージの数
2500
説明
Utilizing a proprietary high-density trench MOSFET process, the part is designed for a low rDS(on) and low Qg form factor with avalanche ruggedness suitable for a wide variety of switching applications.
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