onsemi (Ansemi) FDMC86012 N-Channel, Power Trench MOSFET, 30V, 88A, 2.7mΩ を購入

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FDMC86012

N-Channel, Power Trench MOSFET, 30V, 88A, 2.7mΩ

部品番号

FDMC86012

カテゴリー

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

メーカー/ブランド

onsemi (Ansemi)

カプセル化

PQFN-8

パッキング

taping

パッケージの数

3000

説明

This device is specifically designed to improve the energy efficiency of DC-DC converters. Using novel techniques in the MOSFET structure, the individual components of gate charge and capacitance are optimized to reduce switching losses. Low gate resistance and very low Miller charge enable superior performance in adaptive and fixed dead-time gate drive circuits. Very low rDS(on) is maintained, providing a sub-logic level device.

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