VBsemi (Wei Bi)
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FQD19N10LTM-VB FQD19N10LTM-VB

FQD19N10LTM-VB

FQD19N10LTM-VB
部品番号
FQD19N10LTM-VB
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
VBsemi (Wei Bi)
カプセル化
TO252
パッキング
taping
パッケージの数
2500
説明
N-channel, 100V, 18A, RDS(ON), 115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.6Vth(V); TO252
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