HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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HXY4N65D
N-channel 650V 4A
部品番号
HXY4N65D
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
カプセル化
TO-252-2L
パッキング
taping
パッケージの数
2500
説明
MOSFET N-channel, VDSS withstand voltage 650V, ID current 4A, RDON on-resistance 2.7R@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 2.0-4.0V
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