HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
IRF7341TRPBF-HXY
N+N channel 60V 6.5A
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
説明
Field effect transistor (MOSFET) type: 2 N-channel drain-source voltage (Vdss): 60V continuous drain current (Id): 6.5A power (Pd): 2.1W on-resistance (RDS(on)@Vgs,Id ): 36mΩ@10V, 6A
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、
送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、
[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 82013 PCS