onsemi (Ansemi)
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MBRB8H100T4G
100V 8A 710mV@8A Schottky diode Barrier rectifier, 100 V, 8.0 A
部品番号
MBRB8H100T4G
カテゴリー
diode > Schottky diode
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
TO-263
パッキング
taping
パッケージの数
800
説明
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries feature epitaxial structures with oxide passivation and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
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