MSKSEMI (Mesenco)
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MMBT5551-MS
NPN 160V 600mA Silkscreen G1 100-200
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
メーカー/ブランド
MSKSEMI (Mesenco)
説明
Transistor type: NPN Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 160V Collector current (Ic): 600mA Power (Pd): 300mW Collector cut-off current (Icbo): 50nA Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 200mV@50mA HFE: 100-200
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