HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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MMBTA44
NPN 350V 200mA
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
メーカー/ブランド
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
説明
Transistor Type: NPN Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 400V Collector Current (Ic): 200mA Power (Pd): 350mW Collector Cutoff Current (Icbo): 100nA Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 750mV@50mA, 5mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 50@10mA, 10V Operating temperature: +150℃@(Tj)
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