onsemi (Ansemi) NCV1413BDR2G Darlington Transistor Array, High Voltage, High Current を購入

onsemi (Ansemi)

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NCV1413BDR2G

Darlington Transistor Array, High Voltage, High Current

部品番号

NCV1413BDR2G

カテゴリー

Triode/MOS Tube/Transistor > Darlington Transistor Array

メーカー/ブランド

onsemi (Ansemi)

カプセル化

SOIC-16

パッキング

taping

パッケージの数

2500

説明

The seven NPN Darlington junction transistors in these arrays are ideal for driving lamps, relays or printing hammers in a variety of industrial and consumer applications. Its high breakdown voltage and internal suppression diodes ensure that inductive loads will not be a problem. The peak inrush current of up to 500 mA enables it to drive incandescent lamps. The MC1413, B with 2.7 kΩ series input resistors is suitable for systems using 5.0 V TTL or CMOS logic.

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