onsemi (Ansemi) NRVBS3200T3G 200V 3A 840mV@3A Schottky diodePower rectifier, 3.0 A, 200 V を購入

onsemi (Ansemi)

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NRVBS3200T3G

200V 3A 840mV@3A Schottky diodePower rectifier, 3.0 A, 200 V

部品番号

NRVBS3200T3G

カテゴリー

diode > Schottky diode

メーカー/ブランド

onsemi (Ansemi)

カプセル化

SMB (DO-214AA)

パッキング

taping

パッケージの数

2500

説明

The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry employs oxide passivation and epitaxy with metal-covered contacts. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.

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