onsemi (Ansemi)
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NSR02F30MXT5G 30V 200mA 500mV@200mA 200 mA, 30 V, x3DFN 0201 Schottky diode Barrier diode

NSR02F30MXT5G

30V 200mA 500mV@200mA 200 mA, 30 V, x3DFN 0201 Schottky diode Barrier diode
部品番号
NSR02F30MXT5G
カテゴリー
diode > Schottky diode
メーカー/ブランド
onsemi (Ansemi)
カプセル化
DFN0603-2
パッキング
taping
パッケージの数
10000
説明
These Schottky diode barrier diodes are optimized for low forward voltage drop and low leakage current, providing the best power dissipation performance in the application. They feature a space-saving x3DFN 0201 encapsulation for applications where space is limited.
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