MSKSEMI (Mesenco)
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SI2309CDS-T1-GE3-MS P channel -1.8A -60V

SI2309CDS-T1-GE3-MS

P channel -1.8A -60V
部品番号
SI2309CDS-T1-GE3-MS
カテゴリー
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
メーカー/ブランド
MSKSEMI (Mesenco)
カプセル化
SOT-23
パッキング
taping
パッケージの数
3000
説明
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): -60V Continuous Drain Current (Id): -1.8A Power (Pd): 1.56W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 200mΩ@10V, 1.8A threshold voltage Vgs(th)@Id): -1.0V to -2.5V@250uA
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