TI (Texas Instruments)
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UCC27712DR Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.8A source current 1.8A

UCC27712DR

Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.8A source current 1.8A
部品番号
UCC27712DR
カテゴリー
Power Chip > Gate Driver IC
メーカー/ブランド
TI (Texas Instruments)
カプセル化
SOIC-8
パッキング
taping
パッケージの数
2500
説明
UCC27712 620-V high-side/low-side gate driver with 2.5-A peak output and robust drive capability
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