ALD1110EPAL
MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
部品番号
ALD1110EPAL
メーカー/ブランド
シリーズ
EPAD®
部品のステータス
Active
包装
Tube
動作温度
0°C ~ 70°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
8-DIP (0.300", 7.62mm)
パワー - 最大
600mW
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PDIP
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
500 Ohm @ 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.01V @ 1µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2.5pF @ 5V
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