ALD212900ASAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
部品番号
ALD212900ASAL
メーカー/ブランド
シリーズ
EPAD®, Zero Threshold™
部品のステータス
Active
包装
Tube
動作温度
0°C ~ 70°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
500mW
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
10.6V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
80mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
14 Ohm
Vgs(th) (最大) @ ID
10mV @ 20µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
30pF @ 5V
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