AON2701_001
MOSFET P-CH W/DIODE DFN
部品番号
AON2701_001
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
6-DFN (2x2)
消費電力(最大)
1.5W (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
Schottky Diode (Body)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
700pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.8V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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