Diodes Incorporated DMG4N60SJ3 MOSFET NCH 600V 3A TO251 を購入

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DMG4N60SJ3

MOSFET NCH 600V 3A TO251

部品番号

DMG4N60SJ3

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-251

消費電力(最大)

41W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

600V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

2.5 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

14.3nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

532pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

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