Diodes Incorporated DMN1016UCB6-7 MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6 を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

DataSheets

DMN1016UCB6-7

MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

部品番号

DMN1016UCB6-7

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

6-UFBGA, WLBGA

サプライヤーデバイスパッケージ

U-WLB1510-6

消費電力(最大)

920mW (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

12V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

5.5A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

20 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

423pF @ 6V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

2.5V, 4.5V

Vgs (最大)

±8V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 48299 PCS

連絡先

関連製品

DMN100-7-F

MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3