Diodes Incorporated DMN1045UFR4-7 MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3 を購入

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DMN1045UFR4-7

MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

部品番号

DMN1045UFR4-7

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

3-XFDFN

サプライヤーデバイスパッケージ

X2-DFN1010-3

消費電力(最大)

500mW (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

12V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

3.2A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

45 mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

4.8nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

375pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

1.5V, 4.5V

Vgs (最大)

±8V

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