Diodes Incorporated DMN10H100SK3-13 MOSFET N-CH 100V 18A TO252 を購入

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DMN10H100SK3-13

MOSFET N-CH 100V 18A TO252

部品番号

DMN10H100SK3-13

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-252

消費電力(最大)

37W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

80 mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

25.2nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1172pF @ 50V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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