Diodes Incorporated DMN10H170SFDE-13 MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN を購入

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DMN10H170SFDE-13

MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

部品番号

DMN10H170SFDE-13

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

6-UDFN Exposed Pad

サプライヤーデバイスパッケージ

U-DFN2020-6 (Type E)

消費電力(最大)

660mW (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

2.9A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

160 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

9.7nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1167pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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