Diodes Incorporated DMN2005UFG-13 MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8 を購入

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DataSheets

DMN2005UFG-13

MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

部品番号

DMN2005UFG-13

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Digi-Reel®

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-PowerWDFN

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerDI3333-8

消費電力(最大)

1.05W (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

18.1A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1.2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

164nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

6495pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

2.5V, 4.5V

Vgs (最大)

±12V

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