Diodes Incorporated DMT10H015LFG-7 MOSFET N-CH 100V 10A を購入

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DMT10H015LFG-7

MOSFET N-CH 100V 10A

部品番号

DMT10H015LFG-7

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-PowerWDFN

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerDI3333-8

消費電力(最大)

2W (Ta), 35W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

10A (Ta), 42A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

13.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

33.3nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1871pF @ 50V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

6V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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