Diodes Incorporated DMT3011LDT-7 MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8 を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

DMT3011LDT-7

MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

部品番号

DMT3011LDT-7

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

動作温度

-55°C ~ 155°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-VDFN Exposed Pad

パワー - 最大

1.9W

サプライヤーデバイスパッケージ

V-DFN3030-8 (Type K)

FETタイプ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FETの特徴

Standard

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

8A, 10.7A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

20 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

13.2nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

641pF @ 15V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 43789 PCS

連絡先

関連製品

MOSFET NCH 30V 100A POWERDI