Diodes Incorporated DMT6009LFG-7 MOSFET N-CH 60V 11A を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

DMT6009LFG-7

MOSFET N-CH 60V 11A

部品番号

DMT6009LFG-7

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-PowerWDFN

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerDI3333-8

消費電力(最大)

2.08W (Ta), 19.2W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

60V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

11A (Ta), 34A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

10 mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

33.5nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1925pF @ 30V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±16V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 11207 PCS

連絡先

関連製品

DMT6002LPS-13

MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060