Diodes Incorporated DMTH6004SPSQ-13 MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 を購入

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DMTH6004SPSQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

部品番号

DMTH6004SPSQ-13

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-PowerTDFN

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerDI5060-8

消費電力(最大)

2.1W (Ta), 167W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

60V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

25A (Ta), 100A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

3.1 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

95.4nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

4556pF @ 30V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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