Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8TC MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

ZXMN2A04DN8TC

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

部品番号

ZXMN2A04DN8TC

メーカー/ブランド

Diodes Incorporated

シリーズ

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

パワー - 最大

1.8W

サプライヤーデバイスパッケージ

8-SOP

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

5.9A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

25 mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

700mV @ 250µA (Min)

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

22.1nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1880pF @ 10V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 47032 PCS

連絡先

関連製品

MOSFET N-CH 450V SOT23F-3